三星MLCC创纪录订单叠加ROHM新IGBT，本周高频选型宜重估裕量

本期六条动态集中指向同一信号：AI供电链与宽禁带器件同步升温，高频大电流场景的损耗与散热预算需要整体重算。

三星电机MLCC订单创纪录，AI供电把“高频低损耗”抬成硬指标

据亚洲经济报道，三星电机获得1万亿韩元规模AI服务器用MLCC订单，创下历史最大纪录。AI服务器供电拓扑开关频率高、电流纹波大，MLCC需求从数量到规格同步升级。英伟达与联发科深化合作、39亿美元可转债大部分由英伟达认购，进一步确认AI算力扩张对供电链路的拉动。

对感应加热与高频设备厂而言，这提示高频链路中的小容量高频电容同样值得纳入选型校核——损耗与温升不只集中在母线电容上，谐振与吸收路径上的MLCC也是效率短板。AI服务器把“高频低损耗”抬成硬指标，高频加热设备同样适用这一逻辑。

PCIM2026复盘与ROHM第四代IGBT，功率器件换代节奏加快

PCIM2026技术复盘聚焦AI供电、宽禁带器件、SiC/GaN封装、xEV电控、机器人与系统验证证据链；同期ROHM发布第四代650V IGBT，AEC-Q101认证器件实现1.55V饱和压降与7μs短路耐受时间。两者叠加，功率器件在损耗与鲁棒性之间的平衡点正在移动。

对感应加热设备，谐振逆变级的IGBT选型可参考新一代器件的饱和压降与短路耐受组合——低损耗意味着更小的散热器与更高的柜体功率密度，短路耐受时间则直接关系到设备在异常工况下的生存能力。PCIM2026把AI供电与宽禁带封装列为前沿方向，提示下一代产品规划要提前匹配SiC/GaN驱动与吸收电路，不能等器件定型后再补裕量。

GaN低电阻触点突破，端子损耗成为高频化下一道坎

名古屋大学开发出新型低电阻触点，为改进氮化镓半导体器件铺平道路。GaN器件的高频优势已被行业认可，但接触电阻与封装寄生会显著吃掉效率。低电阻触点若实现量产，将推动更高开关频率落地。

对高频设备厂，水冷母排与端子连接的低阻化要同步跟上——频率越高，端子损耗占比越大。这是与芯片改进同等重要的工程环节，也是感应加热设备在效率竞赛中容易被忽视的短板。

据搜狐报道，法拉电子就产品是否应用于存储芯片作出回应，显示薄膜电容厂商也在向算力供电延伸。本周行动建议：一是重新测量现有设备在满负荷下的开关损耗与端子温升，建立基线数据；二是关注宽禁带器件配套的电容选型，预留水冷与低感母排接口。

CELEM电容持续跟踪高频大电流场景的器件演进，以实测数据为基础提供选型与供应支持，帮助客户在频率提升与损耗控制之间找到可验证的平衡点。